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山東力冠微電子裝備

產(chǎn)品展示


垂直布里奇曼法(VB)爐(非銥技術(shù))

本設(shè)備主要用于氧化鎵(Ga2O3)單晶生長(無銥法),將原料放在垂直的坩堝內(nèi), 然后從坩堝尖端開始通過預(yù)設(shè)好的溫度梯度區(qū)作定向凝固。通過緩慢降溫而生長出單晶。

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