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山東力冠微電子裝備

產(chǎn)品展示


液相法長晶爐

液相法可以在更低的溫度(<2000℃)以下實(shí)現(xiàn)SiC單晶的生長,理論上更容易獲得高質(zhì)量的單晶。利用溫度梯度作為生長驅(qū)動力來實(shí)現(xiàn)晶體的生長。

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